9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT400DU120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT400DU120G参考价格为334.85500美元。微芯片技术APTGT400DU120G封装/规格：IGBT模块1200V 560A 1785W SP6。您可以下载APTGT400DU120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT400DA120D3G带有引脚细节，包括D-3模块封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了D3中使用的供应商设备封装，该D3提供了标准等输入功能，配置设计为单台工作，以及2100W最大功率，该设备也可以用作580A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供750μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，400A，输入电容Cies Vce为29nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT400DA60D3G带有用户指南，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、最大Vge Ic上400A Vce的情况下工作，数据表说明中显示了用于D3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如1250W，包壳设计用于D-3模块，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为24nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为500A，集电器截止值最大值为500μa，配置为单一。
APTGT400DA120G是IGBT 1200V 560A 1785W SP6，包括单一配置，它们设计用于750μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值如数据表注释所示，用于560A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及28nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装，该器件的最大功率为1785W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，400A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
