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APTFF50VDA120T3G是POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3，其中包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了SP3中使用的包装箱，该包装箱提供了底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP3中工作，该设备也可以用作双增压斩波器配置。此外，功率最大值为312W，该器件提供70A集流器Ic Max，该器件具有1200V集流器发射极击穿最大值，集流器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为312W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为3.2 V，25℃时的连续集电极电流为70 A，栅极-发射极漏电流为100 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APTGF50TDU120PG带有用户指南，包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在3.7V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP6-P中使用的供应商设备包，该设备包提供312W等功率最大功能，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三重、双公共电源。
APTGF50TL60T3G是IGBT阵列600V 65A 250W SP3，包括三电平逆变器配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于65A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及2.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
