Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4 | ¥4,421.38485 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,421.38485 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 961瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥2,525.40469 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,525.40469 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥947.48402 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,527.35618 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 961瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥15,152.24682 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,152.24682 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 961瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,399.63975 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,399.63975 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥975.72727 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,805.81819 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥981.56686 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,852.53490 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP4 | ¥2,687.82570 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,687.82570 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥989.09042 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,912.72339 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥989.09042 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,912.72339 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP4 | ¥993.69872 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,949.58975 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP6 | ¥3,928.32395 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,928.32395 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP4 | ¥4,188.32281 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,188.32281 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,002.21818 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,017.74544 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP3 | ¥1,008.43802 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,067.50417 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥782.72572 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥782.72572 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥3,910.85721 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,910.85721 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,034.00546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,272.04366 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥1,447.81096 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,447.81096 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,034.00546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,272.04366 | 添加到BOM 立即询价 |