9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTFF25H120T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APGF25H120T1G参考价格为108.068美元。Microchip Technology APTGF25H120T1G封装/规格：IGBT模块1200V 40A 208W SP1。您可以下载APGF25H120T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTFF25H120T1G，带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及208W最大功率，该设备也可以用作40A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，25A，输入电容Cies Vce为1.65nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTFF25H120T2G，带有用户指南，其中包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在3.7V@15V、25A Vce on Max Vge Ic的情况下工作，数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，提供208W等最大功率功能，包壳设计为在SP2中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.65nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为40A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTFF25DDA120T3G带有电路图，包括双升压斩波器配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于40A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及1.65nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为208W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTFF25DSK120T3G，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，设计用于标准输入，数据表说明中显示了用于SP3的封装盒，提供了供应商设备封装功能，如SP3，IGBT类型设计用于NPT，以及双降压斩波器配置，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为40A，该器件在最大Vge Ic上提供3.7V@15V、25A Vce的电压，该器件具有250μa的集电器截止最大值，最大功率为208W，集电器发射极击穿最大值为1200V，输入电容Cies Vce为1.65nF@25V。
