9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100DH120TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100DH120TG参考价格为134.71500美元。微芯片技术APTGT100DH120TG封装/规格：IGBT模块1200V 140A 480W SP4。您可以下载APTGT100DH120TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT100DH120TG带有引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准等输入功能，配置设计用于非对称桥，以及480W最大功率，该设备也可用作140A集流器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100DH60T3G带有用户指南，其中包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.9V@15V、100A Vce运行，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备包提供340W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为250μa，配置为不对称桥。
APTGT100DH170G带有电路图，包括非对称桥配置，它们设计为在350μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示，该150A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及9nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装盒，该器件的最大功率为560W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
