9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150SK120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150SK120G参考价格为142.76125美元。Microchip Technology APTGT150SK120G封装/规格：IGBT模块1200V 220A 690W SP6。您可以下载APTGT150SK120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150H170G，带引脚细节，包括SP6封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于全桥逆变器，以及890W最大功率，该设备也可作为250A电流收集器Ic Max使用。此外，集电体-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供350μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150H60TG带用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于1.9V@15V，150A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供480W等最大功率功能，包壳设计用于SP4，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为225A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT150SK120D1G是IGBT 1200V 220A 700W D1，包括单一配置，它们设计为在4mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如220A中使用的数据表注释所示，该220A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及10.8nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为700W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
