9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APGF150H120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTFF150H120G参考价格为193.243003美元。Microchip Technology APTGF150H120G封装/规格：IGBT模块1200V 200A 961W SP6。您可以下载APGF150H120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTFF150DU120TG是IGBT模块NPT DUAL 1200V SP4，包括SP4封装外壳，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准等输入功能，配置设计为在双、公共电源以及961W最大功率下工作，该器件还可以用作200A集电器Ic最大值。此外，集电器发射极击穿最大值为1200V，该器件提供350μA集电器截止最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，150A，输入电容Cies Vce为10.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTFF150DH120G带有用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于3.7V@15V，150A Vce on Max Vge Ic，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP6，提供功率最大值功能，如961W，包壳设计用于SP6以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为10.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为200A，集电器截止值最大值为350μa，配置为不对称桥。
APTFF150DA120TG是IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4，包括单一配置，它们设计用于350μa电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于200A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及10.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为961W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
