9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTCV60TLM24T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTCV60TLM24T3G参考价格为135.52125美元。微芯片技术APTCV60TLM24T3G封装/规格：IGBT模块600V 100A 250W SP3。您可以下载APTCV60TLM24T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTCV60TLM24T3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTCV60HM45RT3G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3，包括SP3封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供单相桥式整流器等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及250W最大功率，该设备还可以用作50A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该设备提供250μA集电器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTCV60HM70RT3G带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于1.9V@15V，50A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供250W等最大功率功能，包壳设计用于SP3，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，该设备采用单相桥式整流器输入，该设备具有IGBT型沟槽式场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTCV60HM70BT3G带有电路图，包括升压斩波器、全桥配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于50A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
