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品牌介绍

Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。

英文全称: Microchip Technology

中文全称: 微芯

英文简称: Microchip

品牌地址: http://www.microchip.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
APT100GLQ65JU3
APT100GLQ65JU3
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素

¥194.79780

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,012.72066

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APTGF150A60T3AG
APTGF150A60T3AG
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP3

¥1,030.76249

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,030.76249

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APTGL475A120D3G
APTGL475A120D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2080 W 供应商设备包装: D3

¥2,574.81474

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,299.25894

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APTGF50DH120T3G
APTGF50DH120T3G
IGBT型: NPT 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP3

¥4,827.08459

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,827.08458

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APTGF50DSK120T3G
APTGF50DSK120T3G
IGBT型: NPT 参数配置: 双降压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP3

¥1,813.19347

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,813.19347

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APTGT400A120D3G
APTGT400A120D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 2100 W 供应商设备包装: D3

¥2,625.00803

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,500.03213

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APTGT300A170G
APTGT300A170G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6

¥2,769.41936

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,308.25809

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APTGT50DH170TG
APTGT50DH170TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4

¥888.67167

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,998.04505

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APTGT300DU170G
APTGT300DU170G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6

¥2,769.41936

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,308.25809

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APTGL180A120T3AG
APTGL180A120T3AG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: SP3

¥890.90082

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,018.10737

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APTGLQ80HR120CT3G
APTGLQ80HR120CT3G
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SP3

¥891.66538

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,024.98841

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APTGT300A170D3G
APTGT300A170D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 530 A 最大功率: 1470 W 供应商设备包装: D3

¥2,784.17076

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,352.51228

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APTGT100H60TG
APTGT100H60TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP4

¥903.72075

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,133.48677

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APTCV60HM45BC20T3G
APTCV60HM45BC20T3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波器,全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3

¥913.24118

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,219.17064

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APT50GT120JU2
APT50GT120JU2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: SOT-227

¥4,150.55487

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,150.55487

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APT50GT120JU3
APT50GT120JU3
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: SOT-227

¥736.25931

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥736.25931

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APT60GF60JU2
APT60GF60JU2
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: SOT-227

¥6,218.55310

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,218.55310

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APT60GF60JU3
APT60GF60JU3
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: SOT-227

¥4,460.18188

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,460.18188

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APTGF100A120TG
APTGF100A120TG
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4

¥348,396.01660

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥348,396.01660

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APTGF100DA120T1G
APTGF100DA120T1G
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 735 W 供应商设备包装: SP1

¥1,851.41603

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,851.41603

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