Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥194.79780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,012.72066 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 833 W 供应商设备包装: SP3 | ¥1,030.76249 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,030.76249 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2080 W 供应商设备包装: D3 | ¥2,574.81474 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,299.25894 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP3 | ¥4,827.08459 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,827.08458 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 双降压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP3 | ¥1,813.19347 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,813.19347 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 2100 W 供应商设备包装: D3 | ¥2,625.00803 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,500.03213 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,769.41936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,308.25809 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4 | ¥888.67167 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,998.04505 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1660 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,769.41936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,308.25809 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 230 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥890.90082 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,018.10737 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SP3 | ¥891.66538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,024.98841 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 530 A 最大功率: 1470 W 供应商设备包装: D3 | ¥2,784.17076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,352.51228 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP4 | ¥903.72075 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,133.48677 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波器,全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥913.24118 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,219.17064 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥4,150.55487 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,150.55487 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥736.25931 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥736.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥6,218.55310 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,218.55310 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥4,460.18188 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,460.18188 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 568 W 供应商设备包装: SP4 | ¥348,396.01660 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥348,396.01660 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 735 W 供应商设备包装: SP1 | ¥1,851.41603 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,851.41603 | 添加到BOM 立即询价 |