9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APGF50DSK120T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTFF50DSK120T3G参考价格$250.340813。Microchip Technology APTGF50DSK120T3G封装/规格：IGBT模块1200V 70A 312W SP3。您可以下载APTF50DSK120T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGF50DH120T3G，带有引脚细节，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于SP3的封装盒，提供了安装类型功能，如机箱安装，供应商设备封装设计用于SP3，以及标准输入，该设备也可以用作不对称桥配置。此外，功率最大值为312W，该器件提供70A集流器Ic Max，该器件具有1200V集流器发射极击穿最大值，集流器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为312W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为3.2 V，25℃时的连续集电极电流为70 A，栅极-发射极漏电流为100 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APGF50DH60T1G带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.45V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表说明中显示了用于SP1的供应商设备包，该产品提供IGBT硅模块等产品功能，功率最大值设计为250W，以及250W Pd功耗，该设备也可以用作SP1包装箱。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用螺钉安装式，该器件具有安装型底盘安装，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为400nA，集电极Ic最大值为65A，集电极截止电流最大值为250μA，25℃时的连续集电极电流为65A；配置为不对称桥，集电极-发射极电压VCEO最大值为600V，集电极/发射极饱和电压为2.1V。
APTGF50DH60TG带有电路图，包括非对称桥配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于65A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及2.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装盒，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTF50DSK120T3G，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，设计用于标准输入，数据表说明中显示了用于SP3的封装盒，提供了供应商设备封装功能，如SP3，IGBT类型设计用于NPT，以及双降压斩波器配置，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为70A，该设备提供312W功率最大值，该设备在15V时具有3.7V，最大Vge Ic上的Vce为50A，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，集电器截止最大值为250μa，集电器发射极击穿最大值为1200V。
