9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL475A120D3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL475A120D3G参考价格355.49500美元。微芯片技术APTGL475A120D3G封装/规格：IGBT模块1200V 610A 2080W D3。您可以下载APTGL475A120D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGL10X120T3G，带有引脚细节，包括SP3封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计用于三相逆变器，以及220W最大功率，该设备也可用作65A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，35A，输入电容Cies Vce为1.95nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGL325SK120D3G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、300A Vce的最大Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于D3的供应商设备包，提供1500W等最大功率功能，包壳设计用于D-3模块，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为18.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为420A，集电器截止值最大值为5mA，配置为单一。
APTGL40H120T1G是MOD IGBT 1200V 65A SP1，包括全桥配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如65A中使用的数据表注释所示，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及1.95nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为220W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，35A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
