9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT50H170TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50H170TG参考价格为190.49333美元。Microchip Technology APTGT50H170TG封装/规格：IGBT模块1700V 75A 312W SP4。您可以下载APTGT50H170TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT50DU120TG，带引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP4，提供标准等输入功能，配置设计用于双电源、公共电源以及277W最大功率，该设备也可用作75A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50DU170TG带有用户指南，包括1700V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于SP4的供应商设备包，该设备包提供312W等功率最大功能，包壳设计用于SP4，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双共源。
APTGT50DSK120T3G带有电路图，包括双降压斩波器配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及3.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装方案，该器件最大功率为270W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTGT50DSK60T3G，带EDA/CAD型号，包括是NTC热敏电阻，它们设计为与沟槽式场阻IGBT类型一起工作，数据表注释中显示了用于标准的输入，该标准提供了封装外壳功能，如SP3，供应商设备包设计为在SP3中工作，以及双降压斩波器配置，该设备也可以用作底盘安装型。此外，集电器Ic最大值为80A，该器件提供600V电压集电器-发射器击穿最大值，该器件具有3.15nF@25V的输入电容Cies Vce，集电器截止最大值为250μa，功率最大值为176W，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A。
