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APT45GP120BG是IGBT 1200V 100A 625W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于POWER MOS 7 IGBT，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-247[B]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为625W，集电器Ic最大值为100A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为170A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，45A，开关能量为900μJ（开）、904μJ（关），栅极电荷为185nC，25°C时的Td为18ns/102ns，测试条件为600V、45A、5欧姆、15V，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，且集电极-发射极饱和电压为3.3V，且25℃时的连续集电极电流为100A，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且持续集电极电流Ic-Max为100A。
APT45GP120B2DQ2G是IGBT 1200V 113A 625W TMAX，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、45A Vce on Max Vge Ic下工作，产品名称显示在数据表注释中，用于POWER MOS 7 IGBT，提供600V、45A、5 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，905μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为625W，该器件提供625 W Pd功耗，该器件有一个封装管，封装盒为TO-247-3变体，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大栅-发射极电压为30 V，输入类型为标准，IGBT类型为PT，栅极-发射极漏电流为100nA，栅极电荷为185nC，集电极脉冲Icm为170A，集电极Ic最大值为113A，连续集电极电流Ic最大为113 A，25 C时的连续集电极电压为113 A；配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极-发射极饱和电压为3.3V。
APT45GP120J是IGBT 1200V 75A 329W SOT227，包括3.3 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1.2 kV集电极-发射器电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C下的连续集电极电流，如34 a，除了500μA集流器截止电流最大值，该器件还可以用作75A集流器Ic最大值。此外，栅极-发射极漏电流为100 nA，该器件采用PT IGBT类型，该器件具有输入标准，输入电容Cies Vce为3.94nF@25V，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，安装类型为底盘安装，安装方式为螺钉，NTC热敏电阻为否，封装外壳为ISOTOP，Pd功耗为329W，最大功率为329W；系列为Power MOS 7R，供应商设备封装为ISOTOPR，商品名为POWER MOS 7 IGBT ISOTOP，单位重量为1.058219盎司，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，45A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
