9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT600DA60G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT600DA60G参考价格为203.95500美元。Microchip Technology APTGT600DA60G封装/规格：IGBT模块600V 700A 2300W SP6。您可以下载APTGT600DA60G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT50X60T3G是IGBT TRENCH三相桥SP3，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供SP3等封装外壳功能，安装类型设计用于机箱安装，以及SP3供应商设备包，该设备也可以用作标准输入。此外，该配置为三相逆变器，该设备的最大功率为176W，该设备具有80A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，NTC热敏电阻为是，Pd功耗为176 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为80 A，栅极-发射极漏电流为600 nA，最大栅极发射极电压为+/-20V。
APTGT600A60G是功率模块IGBT 600V 600A SP6，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在1.8V@15V、最大Vge Ic上600A Vce的情况下工作。数据表说明中显示了用于SP6的供应商设备包，提供功率最大值功能，如2300W，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为49nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为700A，集电器截止值最大值为750μa，配置为半桥。
APTGT580U60D4G带有电路图，包括单配置，它们设计为在1mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于760A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及37nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D4封装外壳，该器件的最大功率为1600W，供应商器件封装为D4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，600A，集电器-发射器击穿最大值为600V。
