9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150DH120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150DH120G参考价格196.60833美元。Microchip Technology APTGT150DH120G封装/规格：IGBT模块1200V 220A 690W SP6。您可以下载APTGT150DH120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150A170G是IGBT模块TRENCH PHASE LEG SP6，包括SP6封装盒，它们设计为与底盘安装型一起运行，供应商设备封装如SP6中使用的数据表注释所示，提供标准输入功能，配置设计为半桥工作，以及890W最大功率，该器件还可以用作250A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V，该器件提供350μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150A60T1G是IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP1，提供功率最大值功能，如480W，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为225A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT150A60T3AG是MOD IGBT 600V 225A SP3，包括半桥配置，设计用于250μa集流器最大截止电流，数据表注释中显示了225A中使用的集流器Ic最大值，其提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装方案，该器件最大功率为600W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT150A60TG，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，设计用于沟槽式场阻IGBT类型，输入显示在数据表注释中，用于标准，提供SP4等封装外壳功能，供应商设备包设计用于SP4以及半桥配置，该设备也可用作底盘安装安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该器件提供600V集电极-发射极击穿最大值，该器件最大功率为480W，集电极截止最大值为250μa，集电极Ic最大值为225A，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A。
