9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGLG75H65T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGLG75H65T1G参考价格$80.08500。Microchip Technology APTGLQ75H65T1G封装/规格：IGBT模块650V 150A 250W SP1。您可以下载APTGLG75H65T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGLG600A65T6G是PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6，包括SP6封装盒，其设计为通孔安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及2000W最大功率，该器件还可以用作1200A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为650V，该器件提供600μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，600A，输入电容Cies Vce为36.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGLG75H120T3G是PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下运行，数据表中显示了用于SP1的供应商设备包，提供功率最大值功能，如385W，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为130A，集电器截止值最大值为50μa，配置为全桥。
APTGLG40HR120T3G，带有MICROSEMI制造的电路图。APTGLG40HR120T3G采用标准封装，是IC芯片的一部分。
