9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT30X60T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT30X60T3G参考价格为69.13313美元。微芯片技术APTGT30X60T3G封装/规格：IGBT模块600V 50A 90W SP3。您可以下载APTGT30X60T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT25H120T1G带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及156W最大功率，该设备也可以用作40A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，输入电容Cies Vce为1.8nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APGT25X120T3G是IGBT模块TRENCH 3PH BRDG SP3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、25A Vce运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SP3，提供156W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.8nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为40A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三相逆变器。
APTGT25DA120D1G是IGBT 1200V 40A 140W D1，包括单一配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如用于40A的数据表注释所示，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及1.8nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为140W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTGT25SK120D1G是IGBT 1200V 40A 140W D1，包括沟槽式场阻IGBT类型，它们设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器截止电流最大值为5mA，该设备提供40A集电器Ic最大值，该设备具有2.1V@15V，最大Vge Ic上的Vce为25A，功率最大值为140W，集电器发射极击穿电压最大值为1200V，输入电容Cies Vce为1.8nF@25V。
