9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL90A20T1G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL90A10T1G参考价格$68.62500。Microchip Technology APTGL90A20T1G封装/规格:IGBT模块1200V 110A 385W SP1。您可以下载APTGL90A20T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL90DD120T3G带有引脚细节,包括SP3封装外壳,它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包,该设备提供标准等输入功能,配置设计为在双升压斩波器中工作,以及385W最大功率,该设备也可以用作110A电流收集器Ic Max。此外,电压收集器-发射器击穿最大值为1200V,该设备提供250μA电流收集器截止最大值,该设备具有IGBT类型的沟槽场停止,最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V,75A,输入电容Cies Vce为4.4nF@25V,NTC热敏电阻为Yes。
APTGL90DH120T3G带有用户指南,其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、75A Vce运行,数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包,提供功率最大值功能,如385W,包壳设计用于SP3,以及Yes NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为4.4nF@25V,该器件提供标准输入,该器件具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为110A,集电器截止值最大值为250μa,配置为不对称桥。
APTGL90DSK120T3G带有电路图,包括双降压斩波器配置,它们设计用于250μa集流器最大截止电流,集流器Ic最大值如数据表注释所示,用于110A,提供IGBT类型的功能,如沟槽场阻,输入设计用于标准,以及4.4nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为“是”,该器件采用SP3封装,该器件的最大功率为385W,供应商器件封装为SP3,最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V,75A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。