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APTGL475SK120D3G是IGBT 1200V 610A 2080W D3，包括D-3模块封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于D3，提供标准、配置等输入功能，设计为单台工作，以及2080W最大功率，该器件还可以用作610A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供5mA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，400A，输入电容Cies Vce为24.6nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGL475U120DAG是POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6，包括1200V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、400A Vce的最大Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP6，提供功率最大值功能，如2307W，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为24.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为610A，集电器截止值最大值为4mA，配置为单一。
APTGL475U120D4G是IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4，包括单一配置，它们设计为在4mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如610A中使用的数据表注释所示，该610A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及24.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D4封装，该器件最大功率为2082W，供应商器件封装为D4，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，400A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
