9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150A60T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150A60T1G参考价格$70.87500。Microchip Technology APTGT150A60T1G封装/规格：IGBT模块600V 225A 480W SP1。您可以下载APTGT150A60T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT150A120TG带有引脚细节，包括SP4封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在半桥中工作，以及690W最大功率，该设备还可以用作220A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，输入电容Cies Vce为10.7nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT150A170G是IGBT模块TRENCH PHASE LEG SP6，包括1700V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下运行，数据表中显示了用于SP6的供应商设备包，提供功率最大值功能，如890W，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为250A，集电器截止值最大值为350μa，配置为半桥。
APTGT150A170D1G是IGBT模块沟槽相腿D1，包括半桥配置，它们设计为在4mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于280A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场停止，输入设计为标准工作，以及13nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为780W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
