9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL40H120T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL40H120T1G参考价格$70.05000。Microchip Technology APTGL40H120T1G封装/规格：IGBT模块1200V 75A 250W SP1。您可以下载APTGL40H120T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL40DDA120CT3G，带引脚细节，包括SP6封装外壳，设计用于通孔安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于双升压斩波器，以及250W最大功率，该设备也可用作75A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供100μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，40A，输入电容Cies Vce为2.3nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGLG400A120T6G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.4V@15V、400A Vce运行，数据表说明中显示了用于SP6的供应商设备包，提供功率最大值功能，如1900W，包壳设计用于SP6，以及是NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为24.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为700A，集电器截止值最大值为200μa，配置为半桥。
APTGLG300H65G是PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6，包括全桥配置，它们设计用于300μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值显示在600A中使用的数据表注释中，该600A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及18.3nF@25V输入电容Cies Vce，该装置也可以用作通孔安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装盒，该器件的最大功率为1000W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，300A，集电极-发射极击穿最大值为650V。
