9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTF50H60T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGF50H60T3G参考价格48129.13608美元。微芯片技术APTGF50H60T3G封装/规格：IGBT模块600V 65A 250W SP3。您可以下载APTF50H60T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGF50H120TG是IGBT模块NPT全桥SP4，包括SP4封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及312W最大功率，该器件还可以用作75A集流器Ic最大值。此外，集流器发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA集流管截止最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.45nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGF50H60T1G，带有用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于在2.45V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表说明中显示了用于SP1的供应商设备包，提供250W等最大功率功能，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为2.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为65A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGF50H60T2G带电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于65A，提供IGBT类型的功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及2.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
