9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150DH60TG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150DH60TG参考价格为108.40625美元。Microchip Technology APTGT150DH60TG封装/规格:IGBT模块600V 225A 480W SP4。您可以下载APTGT150DH60TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150A170G是IGBT模块TRENCH PHASE LEG SP6,包括SP6封装盒,它们设计为与底盘安装型一起运行,供应商设备封装如SP6中使用的数据表注释所示,提供标准输入功能,配置设计为半桥工作,以及890W最大功率,该器件还可以用作250A电流收集器Ic最大值。此外,电压收集器-发射器击穿最大值为1700V,该器件提供350μA电流收集器截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V,150A,输入电容Cies Vce为13.5nF@25V,NTC热敏电阻为否。
APTGT150A60T1G是IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1,包括600V电压集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在1.9V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作,供应商设备包如数据表说明所示,用于SP1,提供功率最大值功能,如480W,包壳设计用于SP1,以及是NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为9.2nF@25V,该器件采用标准输入,该器件具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为225A,集电器截止值最大值为250μa,配置为半桥。
APTGT150A60T3AG是MOD IGBT 600V 225A SP3,包括半桥配置,设计用于250μa集流器最大截止电流,数据表注释中显示了225A中使用的集流器Ic最大值,其提供IGBT类型的功能,如沟槽磁场停止,输入设计为标准工作,以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为“是”,该器件采用SP3封装方案,该器件最大功率为600W,供应商器件封装为SP3,最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V,150A,集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT150A60TG,带EDA/CAD型号,包括Yes NTC热敏电阻,设计用于沟槽式场阻IGBT类型,输入显示在数据表注释中,用于标准,提供SP4等封装外壳功能,供应商设备包设计用于SP4以及半桥配置,该设备也可用作底盘安装安装型。此外,输入电容Cies Vce为9.2nF@25V,该器件提供600V集电极-发射极击穿最大值,该器件最大功率为480W,集电极截止最大值为250μa,集电极Ic最大值为225A,最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V,150A。