品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 105 A 最大功率: 379 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥251.31777 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,026.35532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥252.05292 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥252.05292 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 431 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥254.44308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,088.86154 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 170瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥255.85682 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,908.13411 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP1 | ¥454.12983 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥454.12983 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 68 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥262.48270 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,249.65392 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥264.32964 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,872.57054 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP3 | ¥673.73456 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥673.73456 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 130 A 最大功率: 431 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥266.82844 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,336.56872 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 148 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥271.17056 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,423.41110 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥274.65077 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,866.26920 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥281.49531 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,629.90618 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,568.23271 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,568.23271 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥282.79903 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,655.98062 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP1 | ¥427.04138 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥427.04138 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥283.45089 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,669.01784 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 151 A 最大功率: 462 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥291.70780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,834.15596 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥611.66291 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥611.66291 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥309.52374 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,119.04597 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 195 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥312.56735 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,251.34700 | 添加到BOM 立即询价 |