9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT65GP60J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT65GP60J参考价格35.13000美元。Microchip Technology APT65GP60J封装/规格：IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP。您可以下载APT65GP60J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT64GA90LD30是IGBT 900V 117A 500W TO-264，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.373904盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于POWER MOS 8以及to-264-3、to-264AA包装盒，该设备也可作为标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-264[L]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为500W，集电器Ic最大值为117A，集电器发射极击穿最大值为900V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为193A，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，38A，开关能量为1192μJ（开）、1088μJ（关），栅极电荷为162nC，25°C时的Td为18ns/131ns，测试条件为600V、38A、4.7欧姆、15V，Pd功耗为500W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为900 V，且集电极-发射极饱和电压为2.5V，且25℃时的连续集电极电流为117A，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且持续集电极电流Ic-Max为117A。
APT65GP60B2G是IGBT 600V 100A 833W TMAX，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、65A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供400V、65A、5欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，896μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为833W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装盒变体，安装类型为通孔，安装类型是通孔，输入类型为标准，IGBT类型为PT，栅极电荷为210nC，集电器脉冲Icm为250A，集电器Ic最大值为100A。
APT64GA90B2D30是IGBT 900V 117A 500W TO-247，包括117A集流器Ic Max，它们设计为与193A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于162nC的栅极电荷，它提供IGBT类型的功能，如PT，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3变型包装箱。此外，包装为Tube，该设备提供500W最大功率，该设备具有Power MOS 8？开关能量为1192μJ（开）、1088μJ（关），25°C时的Td为18ns/131ns，测试条件为600V、38A、4.7欧姆、15V，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V、38A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
