9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT40GP90JDQ2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT40GP90JDQ2参考价格$39.04500。Microchip Technology APT40GP90JDQ2封装/规格：IGBT模块900V 64A 284W ISOTOP。您可以下载APT40GP90JDQ2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT40GP90JDQ2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT40GP90B2DQ2G是IGBT 900V 101A 543W TMAX，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-247-3变体的封装盒，该变体提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及543W最大功率，该设备也可以用作101A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为900V，该器件为PT IGBT型，该器件具有160A电流收集器脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，40A，开关能量为795μJ（关断），栅极电荷为145nC，25°C下的Td为14ns/90ns，测试条件为600V、40A、4.3欧姆、15V。
APT40GP90BG是IGBT 900V 100A 543W TO247，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于600V、40A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如16ns/75ns，开关能量设计为在825μJ（关）下工作，以及TO-247[B]供应商器件包，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为543W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为145nC，集流器脉冲Icm为160A，集流器Ic最大值为100A。
APT40GP90J是IGBT 900V 68A 284W SOT227，包括单一配置，它们设计用于250μa电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如68A中使用的数据表注释所示，该68A提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及3.3nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为No，该器件采用SOT-227-4 miniBLOC封装外壳，该器件最大功率为284W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，40A，电压收集器-发射极击穿最大值为900V。
