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APT100GT60B2RG是IGBT 600V 148A 500W SOT247，包括Thunderbolt IGBTR系列，设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于to-247-3变体的封装盒，该变体提供输入型功能，如标准型，安装型设计用于通孔，以及500W最大功率，该器件还可以用作148A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为600V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有300A电流收集器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为2.5V@15V，100A，开关能量为3.25mJ（开），3.125mJ（关），栅极电荷为460nC，25°C时的Td为40ns/320ns，测试条件为400V、100A、4.3欧姆、15V。
APT100GT60JR是IGBT 600V 148A 500W SOT227，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、100A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于ISOTOPR，提供霹雳IGBTR等系列功能，功率最大值设计为500W，以及散装包装，该装置也可用作ISOTOP包装箱。此外，NTC热敏电阻为否，该设备为底盘安装型，该设备具有5.15nF@25V输入电容Cies Vce，输入为标准，IGBT类型为NPT，集电器Ic最大值为148A，集电器截止值最大值为25μa，配置为单一。
APT100GT120JU3是IGBT 1200V 140A 480W SOT227，包括单一配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如140A中使用的数据表注释所示，该140A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及7.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用ISOTOP封装外壳，该器件最大功率为480W，供应商器件封装为SOT-227，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
