9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT50TL601G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50TL601G参考价格为62.70000美元。Microchip Technology APTGT50TL601G封装/规格：IGBT模块600V 80A 176W SP1。您可以下载APTGT50TL601G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT50TDU170PG带有引脚细节，包括SP6封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6-P，提供标准等输入功能，配置设计为三重、双公共电源，以及310W最大功率，该器件还可以用作70A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT50TDU60PG带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于1.9V@15V，50A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP6-P的供应商设备包，提供功率最大值功能，如176W，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为80A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三重双共源。
APTGT50TA60PG带有电路图，包括三相配置，它们设计为在250μa集电器最大截止电流下工作，集电器Ic最大值显示在80A中使用的数据表注释中，该80A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为在标准模式下工作，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装外壳，该器件最大功率为176W，供应商器件封装为SP6-P，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
