9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT40GP60JDQ2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT40GP60JDQ2参考价格38.86500美元。Microchip Technology APT40GP60JDQ2封装/规格：IGBT模块600V 86A 284W ISOTOP。您可以下载APT40GP60JDQ2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT40GP60BG是IGBT 600V 100A 543W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作543W最大功率。此外，集流器Ic最大值为100A，该器件提供600V集流器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型PT，集流脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，40A，开关能量为385μJ（开），352μJ（关），栅极电荷为135nC，25°C下的Td为20ns/64ns，测试条件为400V，40A，5欧姆，15V。
APT40GP60B2DQ2G是IGBT 600V 100A 543W TMAX，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.7V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、40A、5欧姆、15V，提供25°C的Td通断特性，如20ns/64ns，开关能量设计为在385μJ（开）、350μJ（关）下工作，与POWER MOS 7R系列一样，该器件也可以用作543W最大功率。此外，该器件采用管式封装，采用TO-247-3变型封装盒，该器件具有安装型通孔，输入型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为135nC，集流器脉冲Icm为160A，集流器Ic最大值为100A。
APT40GP60J是Microsemi制造的IGBT模块绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-单体。APT40GP60J以TO封装形式提供，是IGBT模块的一部分，并支持IGBT模块绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-单跨IGBT芯片N-CH 600V 86A 284000mW 4引脚SOT-227。
