9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100H60T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100H60T3G参考价格为93.02000美元。微芯片技术APTGT100H60T3G封装/规格：IGBT模块600V 150A 340W SP3。您可以下载APTGT100H60T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT100H120G，带引脚细节，包括SP6封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于全桥逆变器，以及480W最大功率，该设备也可作为140A电流收集器Ic Max使用。此外，集电体-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT100DU60TG，带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、100A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供功率最大值功能，如340W，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双共源。
APTGT100H170G带有电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在350μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示，该150A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及9nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装盒，该器件的最大功率为560W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
