9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT200GT60JR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT200GT60JR参考价格为43.15500美元。Microchip Technology APT200GT60JR封装/规格：IGBT MOD 600V 195A 500W SOT227。您可以下载APT200GT60JR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT200GN60JDQ4是IGBT 600V 283A 682W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商品名设计用于ISOTOP，以及ISOTOP封装盒，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为ISOTOPR，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为682W，集电器Ic最大值为283A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器截止最大值为50μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V，200A，输入电容Cies Vce为14.1nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为682W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为283 A，且栅极发射极漏电流为600nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
APT200GN60JDQ4G带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic上1.85V@15V、200A Vce的情况下工作。数据表说明中显示了用于ISOTOPR的供应商设备包，提供功率最大值功能，如682W，包壳设计用于ISOTOP，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为14.1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为283A，集电器截止值最大值为50μa，配置为单一。
APT200GN60JG带电路图，包括单组态，设计用于25μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值显示在283A中使用的数据表注释中，该283A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及14.1nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用ISOTOP封装外壳，该器件最大功率为682W，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V，200A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
