9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150SK170G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150SK170G参考价格为172.67429美元。Microchip Technology APTGT150SK170G封装/规格：IGBT模块1700V 250A 890W SP6。您可以下载APTGT150SK170G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150SK120TG，带有引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP4，提供标准输入功能，配置设计用于单电源，以及690W最大功率，该设备也可用作220A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供350μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，输入电容Cies Vce为10.7nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT150SK120G是IGBT 1200V 220A 690W SP6，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP6，提供690W等功率最大功能，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为10.7nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为220A，集电器截止值最大值为350μa，配置为单一。
APTGT150SK170D1G是IGBT 1700V 280A 780W D1，包括单一配置，它们设计为以4mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如280A中使用的数据表注释所示，该280A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及13nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为780W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
