9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100SK170TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100SK170TG参考价格为106.46625美元。微芯片技术APTGT100SK170TG封装/规格：IGBT模块1700V 150A 560W SP4。您可以下载APTGT100SK170TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如APTGT100SK170TG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APGT100H60T3G是IGBT全桥600V 150A SP3，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了用于SP3的封装盒，该封装盒提供了底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP3中工作，以及标准输入，该设备也可以用作全桥逆变器配置。此外，功率最大值为340W，该器件提供150A集流器Ic Max，该器件具有600V的集流器-发射极击穿最大值，集流器截止最大值为250μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为340 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为150 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APTGT100H60TG带用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于在1.9V@15V、100A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，该设备包提供340W等最大功率功能，包壳设计用于SP4，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT100SK120TG带有电路图，包括单组态，设计用于250μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值显示在140A中使用的数据表注释中，该140A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及7.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装盒，该器件的最大功率为480W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTGT100SK120D1G是IGBT 1200V 150A 520W D1，包括沟槽式场阻IGBT类型，设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可作为底盘安装安装型。此外，输入电容Cies Vce为7nF@25V，该设备的最大功率为520W，该设备具有3mA的集流器截止最大值，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集流器Ic最大值为150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
