9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100A60T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100A60T1G参考价格$58.00471。Microchip Technology APTGT100A60T1G封装/规格：IGBT模块600V 150A 340W SP1。您可以下载APTGT100A60T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT100A170TG是POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4，包括SP4封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准输入功能，配置设计为半桥工作，以及560W最大功率，该器件还可以用作150A集流器Ic最大值。此外，电压集流器-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供250μA集流器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，输入电容Cies Vce为9nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100A602G带有用户指南，其中包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、100A Vce的最大Vge Ic下工作，数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，提供340W等最大功率功能，包壳设计为在SP2中工作，以及无NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为50μa，配置为半桥。
APTGT100A170D1G是IGBT模块沟槽相腿D1，包括半桥配置，它们设计为在3mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于200A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及8.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为695W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
