9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT25X120T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT25X120T3G参考价格$90.61917。Microchip Technology APTGT25X120T3G封装/规格：IGBT模块1200V 40A 156W SP3。您可以下载APTGT25X120T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT25H120T1G带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及156W最大功率，该设备也可以用作40A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，输入电容Cies Vce为1.8nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT25DA120D1G是IGBT 1200V 40A 140W D1，包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、25A Vce运行，数据表说明中显示了用于D1的供应商设备包，其提供功率最大值功能，如140W，包壳设计为在D1中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.8nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为40A，集电器截止值最大值为5mA，配置为单一。
APTGT25SK120D1G是IGBT 1200V 40A 140W D1，包括单一配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如用于40A的数据表注释所示，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及1.8nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为140W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
