9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTCV60HM45RT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTCV60HM45RT3G参考价格为93.43917美元。微芯片技术APTCV60HM45RT3G封装/规格：IGBT模块600V 50A 250W SP3。您可以下载APTCV60HM45RT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTCV60HM45RCT3G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3，包括SP3封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供单相桥式整流器等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及250W最大功率，该设备还可以用作50A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该设备提供250μA集电器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTCV60HM45BC20T3G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计为在最大Vge Ic上1.9V@15V，50A Vce的情况下工作。数据表中显示了用于SP3的供应商设备包，提供250W等最大功率功能，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为升压斩波器，全桥。
APTCV60HM45BT3G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3，包括升压斩波器、全桥配置，它们设计用于250μa电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于50A，提供IGBT类型功能，如沟槽磁场停止、输入设计用于标准、，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
