9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT150GT120JR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT150GT120JR参考价格为58.17000美元。Microchip Technology APT150GT120JR封装/规格：IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP。您可以下载APT150GT120JR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT150GN60JDQ4是IGBT 600V 220A 536W SOT227，包括IGBT硅模块产品，设计用于托盘包装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商标设计用于ISOTOP，以及ISOTOP封装盒，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为ISOTOPR，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为536W，集电器Ic最大值为220A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器截止最大值为50μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V，150A，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为536 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C下的连续集电极电流为220 A，且栅极发射极漏电流为600nA，且最大栅极发射极电压为+/-30V。
APT150GN60J是IGBT 600V 220A 536W SOT227，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.85V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供ISOTOP等商品名功能，供应商设备包设计用于ISOTOPR，以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作536W最大功率。此外，Pd功耗为536W，该设备采用ISOTOP封装盒，该设备具有NTC热敏电阻，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-30 V，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极-发射极漏电流为600 nA，集电器Ic最大值为220A，集电器截止电流最大值为25μA，25 C时的连续集电器电流为220 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为1.5V。
APT150GN60LDQ4G是IGBT 600V 220A 536W TO-264L，包括220A集流器Ic Max，它们设计为与450A集流脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于970nC，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可以用作TO-264-3、TO-264AA包装箱。此外，包装为管式，该设备以536W最大功率提供，该设备具有TO-264[L]供应商设备包，开关能量为8.81mJ（开）、4.295mJ（关），25°C时的Td为44ns/430ns，测试条件为400V、150A、1 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V、150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
