9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT35A20T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT35A20T1G参考价格为54.73500美元。Microchip Technology APTGT35A20T1G封装/规格：IGBT模块1200V 55A 208W SP1。您可以下载APTGT35A20T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT30TL60T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计为在三电平逆变器中工作，以及90W最大功率，该设备也可以用作50A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT30X60T3G，带用户指南，包括600V集电器-发射器击穿最大值，设计用于1.9V@15V，30A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如90W，包壳设计用于SP3，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三相逆变器。
APTGT35A20D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括半桥配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如55A中使用的数据表注释所示，该55A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及2.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为205W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，35A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
