9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT20H60T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT20H60T1G参考价格$49.21500。Microchip Technology APTGT20H60T1G封装/规格：IGBT模块600V 32A 62W SP1。您可以下载APTGT20H60T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT20DDDA60T3G是IGBT模块DUAL BSOOT CHOP SP3，包括SP3封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计用于双升压斩波器，以及62W最大功率，该器件还可以用作32A集流器Ic最大值。此外，电压集流器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集流器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，20A，输入电容Cies Vce为1.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT20DSK60T3G是IGBT模块双BUCK CHOP SP3，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP3，提供最大功率功能，如62W，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.1nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为32A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双降压斩波器。
APGT20A60T1G是IGBT模块沟槽相腿SP1，包括半桥配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于32A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场停止，输入设计用于标准，以及1.1nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为62W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，20A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
