9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL90DA120T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL90DA120T1G参考价格50.61000美元。Microchip Technology APTGL90DA120T1G封装/规格：IGBT模块1200V 110A 385W SP1。您可以下载APTGL90DA120T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL90DD120T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在双升压斩波器中工作，以及385W最大功率，该设备也可以用作110A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，75A，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGL90DH120T3G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、75A Vce运行，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如385W，包壳设计用于SP3，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，该器件提供标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为110A，集电器截止值最大值为250μa，配置为不对称桥。
APTGL90DSK120T3G带有电路图，包括双降压斩波器配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于110A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及4.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为385W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
