9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT200DA120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT200DA120G参考价格为157.60143美元。Microchip Technology APTGT200DA120G封装/规格：IGBT模块1200V 280A 890W SP6。您可以下载APTGT200DA120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT200A60T3AG带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在半桥中工作，以及750W最大功率，该设备也可以用作290A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，200A，输入电容Cies Vce为12.3nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT200A60TG带有用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于在1.9V@15V、200A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，该设备包提供625W等最大功率功能，包壳设计用于SP4，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为12.3nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为290A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT200DA120D3G带有电路图，包括单配置，它们设计为在6mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于300A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及14nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D-3模块封装外壳，该器件的最大功率为1050W，供应商器件封装为D3，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，200A，集电器-发射器击穿最大值为1200V。
