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APT60GA60JD60是IGBT 600V 112A 356W SOT-227，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商品名设计用于POWER MOS 8 ISOTOP以及SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该设备也可以用作机箱安装安装类型。此外，供应商设备包为ISOTOPR，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为356W，集电器Ic最大值为112A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器截止最大值为275μa，IGBT类型为PT，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，62A，输入电容Cies Vce为8.01nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为356 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2 V，25 C时的连续集电极电流为112 A，且栅极发射极漏电流为100nA，且最大栅极发射极电压为+/-30V。
APT60GF120和APT制造的用户指南。APT60GF 120可在模块包中获得，是模块的一部分。
APT60GF120JRD，带有APT制造的电路图。APT60GF 120JRD可在模块包中获得，是模块的一部分。
