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APT50GP60B2DQ2G是IGBT 600V 150A 625W TMAX，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-247-3变体的封装盒，该变体提供输入型功能，如标准型，安装型设计用于通孔，以及625W最大功率，该设备也可以用作150A集流器Ic Max。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该器件为PT IGBT型，该器件具有190A的集电器脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，50A，开关能量为465μJ（开），635μJ，栅极电荷为165nC，25°C下的Td为19ns/85ns，测试条件为400V、50A、4.3欧姆、15V。
APT50GP60BG是IGBT 600V 100A 625W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.7V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于400V、50A、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如19ns/83ns，开关能量设计用于465μJ（开）、637μJ，以及TO-247[B]供应商器件包，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为625W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为165nC，集流器脉冲Icm为190A，集流器Ic最大值为100A。
APT50GP60J是IGBT 600V 100A 329W SOT227，包括单一配置，它们设计用于500μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于100A，提供IGBT类型的功能，如PT，输入设计用于标准，以及5.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为No，该器件采用SOT-227-4 miniBLOC封装盒，该器件的最大功率为329W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
