9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT150GN60J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT150GN60J价格参考29.79000美元。Microchip Technology APT150GN60J封装/规格：IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP。您可以下载APT150GN60J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT150GN60J价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT150GN120JDQ4是IGBT 1200V 215A 625W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商标设计用于ISOTOP，以及SOT-227-4，miniBLOC包装箱，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为ISOTOPR，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为625W，集电器Ic最大值为215A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为300μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，输入电容Cies Vce为9.5nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为215 A，且栅极发射极漏电流为600nA，且最大栅极发射极电压为+/-30V。
APT150GN120J是IGBT 1200V 215A 625W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供ISOTOP等商品名称功能，供应商设备包设计为在ISOTOPR中工作，以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作625W最大功率。此外，Pd功耗为625W，该设备采用托盘包装，该设备具有ISOTOP封装盒，NTC热敏电阻为否，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大栅极发射极电压为+/-30 V，输入电容Cies Vce为9.5nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极发射极泄漏电流为600 nA，集流器Ic最大值为215A，集流管截止电流最大值为100μA，25 C时的连续集流器电流为215 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为1.7V。
APT150GN60B2G是IGBT 600V 220A 536W SOT227，包括220A集流器Ic Max，设计用于450A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于970nC，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3变型包装箱。此外，包装为管式，该设备的最大功率为536W，该设备具有8.81mJ（开）、4.295mJ（关）的开关能量，25°C时的Td为44ns/430ns，测试条件为400V、150A、1欧姆、15V，最大Vge Ic为1.85V@15V、150A，电压收集器-发射极击穿最大值为600V。
