9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT85GR120JD60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT85GR120JD60参考价格37.30000美元。微芯片技术APT85GR120JD60封装/规格：IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227。您可以下载APT85GR120JD60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT84M50L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括0.352740盎司单位重量，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-264，提供Si等技术特性，配置设计用于单级，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为50 ns，器件的上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为84 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为65mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为155ns，典型接通延迟时间为60ns，Qg栅极电荷为340nC，正向跨导最小值为65S，沟道模式为增强。
APT85GR120B2是IGBT 1200V 170A 962W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.2V@15V、85A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于600V、85A、4.3 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如43ns/300ns，开关能量设计为在6mJ（开）、3.8mJ（关）下工作，以及T-MAX？供应商设备包，该设备也可用作962W最大功率。此外，该设备的包装为管式，该设备采用TO-247-3封装盒，该设备具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为660nC，集电器脉冲Icm为340A，集电器Ic最大值为170A。
APT85GR120J带有电路图，包括单配置，它们设计为在1mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于116A，提供IGBT类型的功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及8.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件具有大容量封装，最大功率为543W，供应商器件封装为SOT-227，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，85A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
