9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT100GT120JRDQ4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT100GT120JRDQ4参考价格为56.80000美元。Microchip Technology APT100GT120JRDQ4封装/规格：IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP。您可以下载APT100GT120JRDQ4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT100GT120JRDQ4价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT100GN60LDQ4G是IGBT 600V 229A 625W TO264，包括管封装，它们设计用于0.373904盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264-3、to-264AA等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-264[L]供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为625W，该设备具有229A的集流器Ic Max，且集流器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集流器脉冲Icm为300A，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V，100A，开关能量为4.75mJ（开），2.675mJ（关），栅极电荷为600nC，25°C时的Td为31ns/310ns，测试条件为400V、100A、1 Ohm、15V，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为229 A，且栅极-发射极漏电流为600nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且连续集电极电流Ic-Max为229A。
APT100GT120JR是IGBT 1200V 123A 570W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.7V@15V、100A Vce运行，供应商设备包如数据表说明所示，用于ISOTOPR，提供Thunderbolt IGBTR等系列功能，功率最大值设计为570W，以及SOT-227-4、miniBLOC封装外壳，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供6.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备具有输入标准，IGBT类型为NPT，集电器Ic最大值为123A，集电器截止值最大值为100μa，配置为单一。
APT100GT120JRDL，带有MICROSEMI制造的电路图。APT100GT120JRDL采用ISOTOP封装，是IC芯片的一部分。
