9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MUBW30-12A6K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUBW30-12A6K参考价格55.55000美元。IXYS MUBW30-12A6K封装/规格：IGBT模块1200V 30A 130W E1。您可以下载MUBW30-12A6K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MUBW30-12A6K价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MUBW30-06A7是模块IGBT CBI E2，包括MUBW30系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺旋式，其工作温度范围为-40 C至+125 C，该装置也可以用作E2包装箱。此外，安装类型为底盘安装，该设备在E2供应商设备包中提供，该设备具有三相桥式整流器输入，配置为带制动器的三相逆变器，最大功率为180W，电流收集器Ic最大值为50A，电压收集器发射器击穿最大值为600V，电流收集器截止最大值为600μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Vf正向电压为1.5V，Vr反向电压为1.6kV。
MUBW30-12A6是模块IGBT CBI E1，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.6V@15V、15A Vce运行，数据表说明中显示了用于E1的供应商设备包，提供功率最大值功能，如104W，包壳设计用于E1，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1nF@25V，该设备采用三相桥式整流器输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为31A，集电器截止最大值为1mA，配置为带制动器的三相逆变器。
MUBW30-06T7，带有IXYS制造的电路图。MUBW30-06T7在模块包中提供，是模块的一部分。
