起订量: 10
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 10+ | 257.68789 | 2576.87896 |
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通过最先进的GenX3制造™ IGBT工艺和极轻穿通（XPT™) 这些器件具有高电流处理能力、高速开关能力、低总能量损耗和低电流下降时间。它们具有正的集电极-发射极电压温度系数，使得设计者可以并行使用多个器件来满足高电流要求。它们的低栅极电荷也有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。除了雪崩额定值外，这些器件还具有方形反向偏置安全工作区（RBSOA），最高可达击穿电压，这是无缓冲硬开关应用中的必要坚固性。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXXN200N60B3H1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥257.6879 |
| IXXN200N60C3H1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥316.32387 |
| IXXN200N60B3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: SOT-227B | ¥260.88926 |
| IXXH80N65B4D1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 180 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥81.12048 |
 | IXXH100N60C3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 190 A 最大功率: 830 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥125.95403 |
 | IXXN340N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 520 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥464.08158 |
 | IXXH110N65C4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 234 A 最大功率: 880 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥75.39859 |
 | IXXH80N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: TO-247 (IXXH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥62.72351 |
 | IXXX160N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 310 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥133.70393 |
 | IXXX200N65B4 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 370 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥158.40222 |
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