9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MKI75-12E8，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MKI75-12E8参考价格215.434美元。IXYS MKI75-12E8封装/规格：IGBT模块1200V 130A 500W E3。您可以下载MKI75-12E8英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MKI75-06A7是MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2，包括MKI75系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如螺钉，包装箱设计用于E2，以及底盘安装型，该设备也可以用作E2供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备采用全桥逆变器配置，该设备最大功率为280W，集电器Ic最大值为90A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器截止最大值为1.3mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，75A，输入电容Cies Vce为3.2nF@25V，NTC热敏电阻为“是”，Pd功耗为280 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为600 V；25 C时的连续集电极电流为90 A，栅极-发射极漏电流为200 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
MKI75-06A7T是IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.6V@15V、75A Vce（最大Vge Ic）下工作。数据表说明中显示了用于E2的供应商设备包，提供MKI75等系列功能，产品设计用于IGBT硅模块，以及280W最大功率，该器件也可以用作280W Pd功率耗散。此外，包装为散装，该器件采用E2封装盒，该器件有一个NTC热敏电阻，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入电容Cies Vce为3.2nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为200nA，集电极Ic最大值为90A，集电极截止电流最大值为1.3mA，25℃时的连续集电极电流为90A；配置为全桥逆变器，集电极-发射极电压VCEO最大值为600V，集电极/发射极饱和电压为600V。
MKI65-06A7T是IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK，包括全桥逆变器配置，设计用于底盘安装安装型，NTC热敏电阻如数据表注释所示，用于无封装，提供封装外壳功能，如E2，封装设计用于散装，以及MKI65系列，该设备也可以用作E2供应商设备包。此外，集电器发射极击穿最大值为600V。
