9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MUBW35-12A8，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUBW35-12A8参考价格为164.626美元。IXYS MUBW35-12A8封装/规格：IGBT模块1200V 50A 225W E3。您可以下载MUBW35-12A8英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MUBW35-12A8价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MUBW35-12A7是模块IGBT CBI E2，包括MUBW35系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块，提供散装、安装方式设计用于螺丝，以及E2封装箱，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为E2，该设备提供三相桥式整流器输入，该设备具有带配置制动器的三相逆变器，最大功率为225W，集电器Ic最大值为50A，集电器发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为1.1mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，35A，输入电容Cies Vce为1.65nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Vr反向电压为1.6kV。
MUBW35-06A6K是模块IGBT CBI E1，包括1.6 kV Vr反向电压，它们设计用于600V电压集电极-发射极击穿最大值，Vce on Max Vge Ic如数据表注释所示，用于2.7V@15V，35A，提供转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块等类型功能，供应商设备包设计用于E1，以及MUBW35系列，该器件也可以用作功率半导体模块产品。此外，最大功率为130W，该器件采用散装封装，该器件具有E1封装外壳，NTC热敏电阻为是，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，输入为三相桥式整流器，IGBT类型为NPT，集电器Ic Max为42A，电流收集器截止最大值为750μA，配置为带制动器的三相逆变器。
MUBW35-06A6是模块IGBT CBI E1，包括带制动器配置的三相逆变器，它们设计为以1mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于38A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于三相桥式整流器，以及1.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用E1封装外壳，该器件最大功率为104W，供应商器件封装为E1，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
